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商品訊息描述

  • 《創新材料學》

    《創新材料學》共分10章,每章涉及一個相對獨立的材料領域,自成體系,內容全面,系統完整。內容包括半導體積體電路材料、微電子封裝和封裝材料、平面顯示器相關材料、半導體固態照明及相關材料、化學電池及電池材料、光伏發電和太陽能電池材料、核能利用和核材料;能源、信號轉換及感測器材料、電磁相容-電磁遮罩及RFID 用材料、環境友好和環境材料,涉及最新技術的各個領域。本書所討論的既是新技術中所採用的新材料,也是新材料在新技術中的應用。

    • 作者介紹

      田民波

      現職:
      清華大學材料科學與工程系 教授

      學歷:
      清華大學 工程物理系 碩士

      經歷:
      日本京都大學國家公派訪問學者
      日本Kyoto Elex株式?社 特邀研究員
      清華大學材料科學與工程系 教授

      總校閱簡介

      張勁燕/校訂

      學歷:
      交通大學 電子工程系研究所 博士

      經歷:
      逢甲大學 電子工程系 副教授
      新加坡Intersil電子公司 工程師
      ITT環宇電子公司 工程部 經理
      台灣電子電腦公司 半導體廠 廠長
      萬邦電子公司 總工程師
      明新工專 電子科 副教授(兼科主任)
      逢甲大學 電機系 副教授(兼系主任)

    創新材料學-目錄導覽說明

    • 爆買1 半導體和積體電路(IC)材料

      1.1 何謂積體電路(IC)

      1.1.1從分立元件到積體電路

      1.1.2由矽圓片到晶片再到封裝

      1.1.3從雙極性元件到MOS 元件

      1.1.4半導體積體電路的功能及按規模的分類

      1.2 積體電路(IC)發明逾50 年-兩人的一小步,人類的一大步

      1.2.1從記憶體到CPU、系統LSI(CMOS 數位式IC 的分類)

      1.2.2記憶體IC 按功能的分類

      1.2.3DRAM 中電容結構的變遷

      1.2.4微處理器的進展

      1.3 記憶體IC(DRAM)和邏輯LSI 的進展

      1.3.1CMOS 構造的斷面模式圖(p 型矽基板)

      1.3.2快閃記憶體單元電晶體「寫入」、「消除」、「讀出」的工作原理

      1.3.3新元件靠材料和製程的革新而不斷進展

      1.4 從矽石到金屬矽,再到99.999999999% 的高純矽

      1.4.1「矽是上帝賜給人的寶物」

      1.4.2從矽石原料到半導體元件的製程

      1.4.3從矽石還原為金屬矽

      1.4.4改良西門子法生產多晶矽

      1.5 從多晶矽到單晶矽棒

      1.5.1多晶矽的析出及生長

      1.5.2直拉法(Czochralski 法)拉製矽單晶

      1.5.3區熔法製作單晶矽

      1.5.4拋光片、磊晶片和SOI

      1.6 從單晶矽到晶圓

      1.6.1先要進行取向標誌的加工

      1.6.2將矽坯切割成一片一片的矽圓片

      1.6.3按電阻對絕緣體、半導體、導體的分類

      1.6.4pn 接面中雜質的能階

      1.7 從晶圓到IC(1)-氧化與擴散技術

      1.7.1塗佈光阻-製作圖形的第一步

      1.7.2曝光,顯影

      1.7.3絕緣膜的作用-絕緣、隔離、LSI 的保護

      1.7.4熱氧化法-製取優良的絕緣膜

      1.8 從晶圓到IC(2)-光罩與蝕刻技術

      1.8.1雜質的擴散法之一-熱擴散法

      1.8.2雜質的擴散法之二-離子植入法

      1.8.3濕式蝕刻

      1.8.4乾式蝕刻

      1.9 IC 製作中的薄膜及薄膜加工-PVD 法

      1.9.1真空蒸鍍

      1.9.2離子濺射和濺射鍍膜

      1.9.3平面磁控濺射

      1.9.4晶圓流程中的各種處理室方式

      1.10 IC 製作中的薄膜及薄膜加工-CVD 法

      1.10.1用於VLSI 製作的CVD 法分類

      1.10.2CVD 中主要的反應裝置

      1.10.3電漿CVD(PCVD)過程中,傳輸、反應和成膜的過程

      1.10.4離子植入原理

      1.11 Cu 佈線代替Al 佈線

      1.11.1影響電子元件壽命的大敵-電子遷移

      1.11.2斷線和電路缺陷的形成原因和預防、修補措施

      1.11.3Cu 佈線代替Al 佈線的理由

      1.11.4用電鍍法即可製作Cu 佈線

      1.12 曝光光源向短波長進展和乾式蝕刻代替濕式蝕刻

      1.12.1步進重複曝光機光源向短波長的進展

      1.12.2曝光波長的變遷

      1.12.3圖形曝光裝置的分類

      1.12.4乾式蝕刻裝置的種類及蝕刻特徵

      1.13 光學曝光技術

      1.13.1薄膜圖形加工概要

      1.13.2對基板的曝光及曝光波長的變遷

      1.13.3近接曝光和縮小投影曝光

      1.13.4曝光中的各種位相補償措施

      1.14 電子束曝光和離子植入

      1.14.1電子束曝光

      1.14.2LEEPL(低加速電子束近接)曝光

      1.14.3離子植入裝置

      1.14.4低能離子植入和高速退火

      1.15 單大馬士革和雙大馬士革技術

      1.15.1大馬士革技術就是中國的景泰藍金屬鑲嵌技術

      1.15.2Al 佈線與Cu 大馬士革佈線的形成方法比較

      1.15.3Cu 雙大馬士革佈線的形成方法

      1.15.4由大馬士革(鑲嵌)技術在溝槽中埋置金屬製作導體佈線的實例

      1.16 多層化佈線已進入第4 代

      1.16.1第1 代多層化佈線技術-逐層沉積

      1.16.2第2 代多層化佈線技術-玻璃流平

      1.16.3第3 代多層化佈線技術-導入CMP

      1.16.4第4 代多層化佈線技術-導入大馬士革技術

      1.17 摩爾定律繼續有效

      1.17.1半導體元件向巨大化和微細化發展的兩個趨勢

      1.17.2摩爾定律並非物理學定律

      1.17.3摩爾定律是描述產業化的定律

      1.17.4「踮起腳來,跳起來摘蘋果」

      思考題及練習題

      參考文獻

      2 微電子封裝和封裝材料

      2.1 微電子封裝的定義和範疇

      2.1.1微電子封裝的發展過程

      2.1.2前工程、後工程和封裝工程

      2.1.3電子封裝工程的範圍

      2.1.4微電子封裝的定義

      2.2 一級封裝和二級封裝

      2.2.1LSI 裸晶片(bare chip)一級封裝的各種類型

      2.2.2引線鍵合(WB)和覆晶(flip-chip)連接方式

      2.2.3TAB 連接方式

      2.2.4二級封裝的類型和特徵

      2.3 一級封裝技術

      2.3.1引線鍵合(WB)方式及連接結構

      2.3.2金線引線鍵合(WB)的技術過程

      2.3.3覆晶(flip-chip)凸點形成方法

      2.3.4利用FCB 的連接方法

      2.4 傳遞模注封裝和環氧塑封料(EMC)

      2.4.1DIP 型陶瓷封裝的結構

      2.4.2球柵陣列封裝(BGA)的結構

      2.4.3傳遞模注塑封技術流程

      2.4.4環氧塑封料(EMC)及各種組分的效果

      2.5 從半導體二級封裝看電子封裝技術的變遷

      2.5.1半導體封裝依外部形狀的變遷

      2.5.2LSI 封裝與印刷電路板安裝(連接)方式的變遷

      2.6 三維(3D)封裝

      2.6.1何謂三維封裝?

      2.6.2晶片疊層的三維封裝

      2.6.3封裝疊層的三維封裝

      2.6.4矽圓片疊層的三維封裝

      2.7 印刷電路板(PCB)用材料

      2.7.1作為基材的玻璃布

      2.7.2熱固性樹脂材料(1)-酚醛樹脂和環氧樹脂

      2.7.3熱固性樹脂材料(2)-聚醯亞胺、BT 樹脂和A-PPE 樹脂

      2.7.4熱塑性樹脂材料

      2.8 電解銅箔和壓延銅箔

      搶購2.8.1電解銅箔的製作技術

      2.8.2壓延銅箔的製作技術

      2.8.3銅箔的表面處理工程

      2.8.4電解銅箔和壓延銅箔各有長短,分別適用於不同領域

      2.9 軟性基板(FPC)

      2.9.1三層法和兩層法軟性基板

      2.9.2兩層法FPC-鑄造法、濺鍍/電鍍法、疊層熱壓法製作技術

      2.9.3連接用和補強用軟性基板

      2.9.4用於手機和液晶電視封裝的軟性基板

      2.10 表面貼裝技術(SMT)及無鉛焊料

      2.10.1何謂SMD 和SMT

      2.10.2表徵可靠性隨時間變化的浴缸曲線

      熱銷

      2.10.3貼裝元件故障分析

      2.10.4無鉛焊料的分類及其特性

      2.11 無鹵阻燃

      2.11.1阻燃劑分類

      2.11.2阻燃機制

      2.11.3無鹵阻燃

      2.11.4添加型無鹵阻燃劑

      2.12 半導體封裝的設計

      2.12.1半導體元件的分類

      2.12.2對半導體封裝的要求

      2.12.3半導體封裝的設計

      2.12.4半導體封裝的設計專案

      思考題及練習題

      參考文獻

      3 平面顯示器及相關材料

      3.1 平面顯示器-被列為戰略性新興產業

      3.1.1從陰極射線管(CRT)顯示器到平面顯示器(FPD)

      3.1.2透射型直視式液晶顯示器的基本結構

      3.1.3液晶顯示器的用途分類

      3.1.4直視式液晶顯示器的分類

      3.2 液晶分子的四個組成部分各有各的用處

      3.2.1液晶分子由四個部分組成

      3.2.2向列型液晶和層列型液晶

      3.2.3膽固醇相型液晶分子及其排列

      3.2.4在電場作用下可改變分子取向的極性基

      3.3 液晶顯示器可類比為一個電子窗簾

      3.3.1用於液晶顯示器的液晶材料分子結構

      3.3.2產生電子窗簾作用的液晶分子

      3.3.3液晶顯示器的主要構成部件

      3.3.4液晶顯示器的組裝結構

      3.4 液晶顯示原理

      3.4.1TN 型液晶顯示器的工作原理

      3.4.2用簾子模型說明偏振片的作用

      3.4.3電場效應雙折射控制型液晶顯示器的原理

      3.4.4液晶光柵的兩種基本工作模式-常黑型和常白型

      3.5 TFT LCD 的驅動

      3.5.1液晶顯示器的兩種驅動方式-被動驅動和主動驅動

      3.5.2ITO 透明電極及其製作方法

      3.5.3TFT LCD 的像素陣列

      3.5.4一個TFT LCD 次像素的結構

      3.6 TFT LCD 的圖像解析度和彩色化

      3.6.1液晶顯示器的圖像如何才能更清晰逼真

      3.6.2圖像解析度單位(ppi)和顯示規格

      3.6.3採用數位電壓對像素實施驅動

      3.6.4彩色顯示是如何實現的

      3.7 TFT LCD 陣列基板(後基板)的製作

      3.7.1溢流法製作玻璃基板

      3.7.2玻璃是影響液晶顯示器性能的最主要部件之一

      3.7.3TFT 陣列製作工程

      3.7.4驅動TFT LCD 的驅動電路(驅動IC)

      3.8 TFT LCD 濾色膜基板(前基板)的製作

      3.8.1數位電壓信號位元(bit)數、灰階數與同時顯示色數的關係

      3.8.2彩色濾光片是用哪些步驟製作出來的

      3.8.3濾色膜製作於陣列之上的液晶模式

      3.8.4軟性液晶顯示器及其結構

      3.9 液晶盒製作

      3.9.1TFT LCD 的三大製作工序

      3.9.2液晶盒的製造及其製作技術標準流程

      3.9.3如何使液晶分子取向(定向排列)

      3.9.4TFT LCD 的斷面構造

      3.10 TFT LCD 模組組裝

      3.10.1偏光板的斷面構造

      3.10.2液晶模組的組裝

      3.10.3液晶模組中所使用的TAB 及其連接方式

      3.10.4利用ACF 實現液晶面板與驅動IC 間的連接

      3.11 ITO 透明導電膜

      3.11.1ITO 膜為什麼具有良好的導電性?

      3.11.2利用物質中的電子運動模型解釋ITO 膜的導電率

      3.11.3ITO 膜為什麼是透明的?

      3.11.4簡單矩陣驅動的兩大問題

      3.12 液晶顯示器的飛速進展

      3.12.1液晶顯示技術的四個階段

      3.12.2玻璃基板的進化-液晶顯示器產業的世代劃分

      3.12.3液晶顯示器的應用商品領域

      3.12.4薄型顯示器的競爭戰場

      3.13 液晶顯示器進入市場的發展歷程

      本季推薦3.13.1筆記型電腦液晶顯示器的發展過程

      3.13.2快速增長的液晶顯示器市場

      3.13.3液晶面板的透射率-如何降低液晶電視的功耗

      3.13.4圖像解析度、畫角、觀視距離的最佳配合

      3.14 液晶電視的技術突破(1)-擴大視角

      3.14.1TN 型液晶視角較小的原因

      3.14.2擴大視角的幾種技術

      3.14.3多域方式和MVA 方式

      3.14.4IPS 方式和OCB 方式

      3.15 液晶電視的技術突破(2)-提高相應速度

      3.15.1液晶電視提高回應速度的必要性

      3.15.2液晶結構的改善-採用OCB 和新液晶材料(鐵電性液晶)的開發

      3.15.3倍頻驅動和脈衝驅動

      3.15.4過調驅動

      3.16 低溫多晶矽(LTPS)液晶

      3.16.1非晶矽、多晶矽、連續晶界矽和單晶矽的對比

      3.16.2多晶矽(poly-Si)TFT 顯示器是如何製造出來的?

      3.16.3多晶矽(poly-Si)TFT 的結構佈置

      3.16.4正在開發中的玻璃上系統(system on glass)液晶

      3.17 液晶顯示器的背光源

      3.17.1液晶顯示器按照明方式的分類

      3.17.2背光源在液晶顯示器中的應用及分類

      3.17.3CCFL 背光源的組成及結構

      3.17.4背光模組中各部件的功能、構成及所用材料

      3.18 LED 背光源

      3.18.1LED 背光源的採用和液晶電視的技術革新方向

      3.18.2LED 背光源在中小型顯示器中的應用

      3.18.3直下式和側置式LED 背光源

      3.18.4LED TV 背光源的發展趨勢

      3.19 觸控面板的原理和分類

      3.19.1觸控面板(TP)及其工作原理

      3.19.2TP 按位置分類

      3.19.3TP 按工作原理的分類

      3.19.4觸控面板應具備的特性

      3.20 3D 顯示的原理

      3.20.1紅外線掃描型觸控面板和圖像認識型觸控面板

      3.20.2超音波表面彈性波方式和聲波辨識方式觸控面板

      3.20.33D 顯示的原理

      3.20.4各種3D 技術優劣勢解析

      3.21 PDP 的原理如同螢光燈

      3.21.1螢光燈、PDP、陰極射線管發光原理的異同

      3.21.2PDP 像素放大圖

      3.21.3PDP 電漿放電的工作原理

      3.21.4PDP 放電胞的結構示意

      3.22 PDP 的構成材料及功能

      3.22.1放電氣體的作用

      3.22.2PDP 用玻璃的特性

      3.22.3不含有機成分玻璃封接劑的優點

      3.22.4AC 型PDP 的構成材料及功能

      3.23 PDP 面板製作

      3.23.1噴砂法製作屏蔽

      3.23.2PDP 螢光體的塗佈及燒成

      3.23.3顯示器製作工程概要

      3.23.4PDP 電視製作技術路線

      思考題及練習題

      參考文獻

      4 半導體固態照明及相關材料

      4.1 發光二極體簡介

      4.1.1何謂二極體

      4.1.2何謂光電二極體

      4.1.3何謂發光二極體(LED)

      4.1.4發光二極體(LED)的發展歷史

      4.2 發光二極體的特徵

      4.2.1間接躍遷型和直接躍遷型發光二極體

      4.2.2發光二極體的特徵

      4.2.3發光二極體與白熾燈泡的比較

      4.2.4發光二極體與鹵素燈的比較

      4.3 Ⅲ-Ⅴ族化合物半導體LED 元件

      4.3.1雷射發光二極體的原理

      4.3.2LED 的能帶結構

      4.3.3化合物半導體中使用的元素在週期表中的位置

      4.3.4Ⅲ-Ⅴ族化合物的結構和性能參數

      4.4 藍光LED 的實現技術

      4.4.1GaN MIS 磊晶層結構和早期pn 接面GaN 藍光LED 結構

      4.4.2同質接面GaN 藍光LED 結構及雙異質接面GaN 藍光LED

      4.4.3單量子阱和多量子阱LED 元件結構

      4.4.4採用通道接觸接面的LED 和低電壓InGaN/GaN LED 結構

      4.5 藍光LED 中的關鍵結構-雙異質接面、緩衝層和量子阱

      4.5.1LED 元件中的雙異質接面(DH)、緩衝層

      4.5.2LED 元件中的量子阱

      4.5.3DH 結構中的能帶結構、載子濃度分佈、電流密度分佈的計算實例

      4.5.4各種不同結構的LED 示意圖

      4.6 製作藍光LED 的關鍵技術

      4.6.1Ⅲ-Ⅴ族化合物半導體薄膜的磊晶

      4.6.2金屬有機化合物化學氣相沉積(MOCVD)和分子束磊晶(MBE)

      4.6.3Ⅲ-Ⅴ族化合物半導體的n 型摻雜和p 型摻雜

      4.6.4退火也是關鍵的一步

      4.7 光的三原色

      4.7.1發光色與色度圖的關係

      4.7.2光的三原色和加法混色

      4.7.3原子的受激發射過程

      4.7.4視感度曲線-人的眼睛對綠色最為敏感

      4.8 單色LED 元件結構和發光效率

      4.8.1LED 晶片的各種構造

      4.8.2綠光LED 和藍光LED 涉及的各種技術

      4.8.3最高效率的紅光LED 工作模式

      4.8.4LED 元件各種效率的定義

      4.9 白光LED 元件結構和發光效率

      4.9.1多晶片型和單晶片型白光LED

      4.9.2LED 元件各種效率的定義

      4.9.3最初的白色LED 的實現方式

      4.9.4輻射量與測光量間的對應關係

      4.10 白色LED 光源的實現方式及其特徵

      4.10.1白色LED 照明光源的開發歷史及進展概略(1997 ∼ 2008 年)

      4.10.2白色LED 照明光源的實現方式-LED 發光元件與螢光體組合

      4.10.3實現白色LED 發光的不同方式及其特徵

      4.10.4幾種白色LED 光源的特性及應用比較

      4.11 白色LED 的發光效率和色參數

      4.11.1白色LED 的構造和發光效率的構成要素

      4.11.2InGaN/YAG 白色LED 的發光色,光譜及顯色評價指數Ra

      4.11.3CIE 色度學座標及色組合的實例

      4.11.4LED 的分光分佈實例

      4.12 如何提高白色LED 光源的色品質

      4.12.1眼球構造及視神經細胞

      4.12.2白色LED 光源的優點及實現白色LED 發光的方式

      4.12.3幾種白色光源發光光譜的對比

      4.12.4幾種常用光源的發光原理

      4.13 白色LED 的指向特性及LED 的應用

      4.13.1砲彈型白色LED 光源的指向特性

      4.13.2平面發光型白色LED 光源的指向特性

      4.13.3室外用大尺寸高輝度LED 顯示器

      4.13.4LED 光照溫室用於育秧和植物栽培

      4.14 白光LED 光源的應用(1)-用途和市場

      4.14.1白光LED 的高效率化和向新市場的擴展

      4.14.2白光LED 用於普通照明存在的問題

      4.15 白光LED 光源的應用(2)-照明光源

      4.15.1使用LED 的車載照明部位和種類

      4.15.2從傳統光源向下一代照明光源-白色LED 的轉換

      4.15.3白色LED 器具到2015 年的功耗、價格、規格目標

      4.16 OLED 成功發光的關鍵-採用超薄膜和多層結構

      4.16.1關於有機EL 和OLED

      4.16.2「超薄膜」和「多層結構」是OLED 成功發光的關鍵

      4.16.3有機EL 顯示器能否推廣普及的關鍵在於材料

      4.16.4OLED 顯示器難得的發展機遇

      4.17 OLED 的發光原理-載子注入、複合、激發和發光

      4.17.1電子和電洞經跳躍、遷移最終發生複合的過程

      4.17.2三階降落發出「螢光」,二階降落發出「磷光」

      4.17.3電子自旋方向決定激發狀態是單重態還是三重態

      4.17.4銥(Ir)螯合物系磷光物質對應不同波長的發光

      4.18 OLED 的發光效率

      4.18.1從電洞與電子複合直到發光的過程

      4.18.2有機EL 的發光過程和發光效率

      4.18.3如何提高發光效率

      4.18.4有機EL 的能帶模型

      4.19 OLED 用材料(1)-螢光材料

      4.19.1電洞輸運材料的分子結構及玻璃轉變溫度、離化勢的數值 329

      4.19.2用於有機EL 元件的代表性電子輸運材料

      4.19.3用於有機EL 元件的螢光性主(host)發光材料

      4.19.4按發光波長給出的代表性客(guest)發光材料

      4.20 OLED 用材料(2)-磷光材料

      4.20.1電洞遷移率與電場強度的關係

      4.20.2有機EL 用銥(Ir)系金屬螯合物磷光發光材料

      4.20.3PLED 用次苯基二價乙烯基衍生物的分子結構

      4.20.4PLED 用聚芴衍生物的分子結構

      4.21 OLED 用材料(3)-電極材料

      4.21.1小分子系被動矩陣驅動型有機EL(OLED)元件的結構

      搶便宜

      4.21.2陽極材料-IZO 與ITO 的比較

      4.21.3高分子系有機EL 的陽極

      4.21.4陰極材料-透明陰極的發展

      4.22 OLED 的彩色化方式

      4.22.1OLED 彩色化方式的比較

      4.22.2三色獨立像素方式(三色分塗方式)

      4.22.3彩色濾光片(CF)方式

      4.22.4色變換(CCM)方式

      4.23 OLED 的驅動

      4.23.1矩陣方式顯示器驅動掃描方式的種類

      4.23.2被動矩陣(簡單矩陣)驅動方式

      4.23.3主動矩陣驅動方式

      4.23.4銦鎵鋅氧化物(IGZO)薄膜電晶體驅動

      4.24 OLED 的製作技術(1)-製作流程

      4.24.1小分子系被動矩陣驅動型全色OLED 的製作流程

      4.24.2流程分解-前處理工程、成膜工程、封裝工程

      4.24.3利用條狀陰極屏蔽兼作光罩製作像素陣列

      4.24.4利用條狀陰極屏蔽的被動驅動OLED 元件之像素結構

      4.25 OLED 的製作技術(2)-蒸鍍成膜

      4.25.1OLED 元件製作中蒸鍍成膜的特殊性

      4.25.2熱壁蒸鍍法與普通點源蒸鍍法的對比

      4.25.3利用遮擋光罩分塗RGB 三原色有機色素(用於OLED)

      4.25.4OLED 各種膜層的蒸鍍成膜

      4.26 OLED 的改進-上發光型面板和全色像素

      4.26.1OLED 需要開發的技術課題

      4.26.2上發光型和下發光型面板的對比

      4.26.3SOLED 的全色像素技術與發光時間控制電路技術

      4.26.4商品化的被動驅動面板和主動驅動面板產品

      4.27 OLED 將與LCD 長期共存

      4.27.1半導體顯示概念的提出

      4.27.2OLED 的技術發展現狀

      4.27.3OLED 的產業化發展現狀

      4.27.4OLED 將與LCD 長期共存

      思考題及練習題

      參考文獻

      5 化學電池及電池材料

      5.1 電池的種類及現狀

      5.1.1化學電池

      5.1.2物理電池

      5.1.3生物電池

      5.1.4實用電池應具備的條件及常用電池的特性

      5.2 電池四要素和電池的三個基本參數

      5.2.1構成電池的四要素

      5.2.2電池的容量-可取出電(荷)的量

      5.2.3電池的電壓-電動勢

      5.2.4電池的電能-電池電壓與電荷量的乘積

      5.3 常用一次電池

      5.3.1一次電池的(放電)特性比較

      5.3.2錳乾電池的標準放電曲線

      5.3.3鋰一次電池的結構

      5.3.4錳氧化物的各種不同晶體結構

      5.4 從一次電池到二次電池

      5.4.1二次電池的工作原理

      5.4.2鉛酸蓄電池(二次電池)的結構和充、放電反應

      5.4.3主要二次電池的特徵及用途

      5.4.4各種二次電池的特性

      5.5 二次電池性能的比較

      5.5.1二次電池能量密度的比較

      5.5.2二次電池的(放電)特性比較

      5.5.3已實用化的二次電池

      5.5.4開發中的二次電池

      5.6 常用二次電池

      5.6.1鉛酸蓄電池

      5.6.2鎳鎘電池

      5.6.3鎳氫電池

      5.6.4鎳鋅電池

      5.7 鋰離子電池的工作原理

      5.7.1各式各樣的鋰離子電池

      5.7.2鋰離子電池的充、放電反應和工作原理

      5.7.3鋰離子電池的充、放電過程

      5.7.4鋰離子電池的結構和充電特性

      5.8 二次電池的開發方向

      5.8.1家電、資訊科技機器及電動汽車等對二次電池的要求

      5.8.2鋰二次電池的發展經歷

      5.8.3各種正極材料的特性

      5.8.4鋰電池負極高性能化的方法

      5.9 燃料電池發展概述

      5.9.1燃料電池的發展簡史及應用概況

      5.9.2化學電池(一、二次電池)與燃料電池的基本差異

      5.9.3人體與燃料電池何其相似

      5.9.4燃料電池由氫、氧反應發電是水電解的逆過程

      5.10 燃料電池的工作原理

      5.10.1燃料電池的工作原理

      5.10.2燃料電池與火力發電的比較

      5.10.3Bauru 和Toplex 燃料電池的推定圖

      5.10.4Beacon 燃料電池的誕生

      5.11 燃料電池的種類

      5.11.1燃料電池的分類方法及構造

      5.11.2燃料電池的種類和特徵

      5.11.3鹼型燃料電池

      5.11.4直接甲醇燃料電池

      5.12 燃料電池的發展前景

      5.12.1氫的安全容器-儲氫合金

      5.12.2工作溫度可降低的燃料電池

      5.12.3可利用煤炭的燃料電池

      5.12.4可利用廢棄物的燃料電池

      思考題及練習題

      參考文獻

      6 光伏發電和太陽能電池材料

      6.1 取之不盡、用之不竭的太陽能

      6.1.1太陽輻射發出巨大能量

      6.1.2太陽光譜

      限時商品

      6.1.3太陽能電池中常使用之代表材料的光吸收係數

      6.1.4太陽能電池轉換效率與材料禁頻寬的關係

      6.2 太陽能電池發明已逾60 年

      6.2.1何謂太陽能電池

      6.2.2最早發表的太陽能電池

      6.2.3提高轉換效率之路並非平坦

      6.2.4沒有太陽能電池就沒有衛星和太空梭

      6.3 太陽能電池的製作和光伏電力的使用

      6.3.1太陽能電池板、組件和太陽能電池陣列的製作

      6.3.2太陽能電池的使用-獨立蓄電方式和系統併網方式

      6.3.3家庭如何使用光伏電力

      6.3.4街區如何使用光伏電力

      6.4 太陽能電池的核心是pn 接面

      6.4.1有光照即可發電的太陽能電池

      6.4.2半導體的價帶、導帶和禁帶

      6.4.3利用摻雜獲得n 型和p 型半導體

      6.4.4pn 接面是太陽能電池的關鍵與核心

      6.5 開路電壓和短路電流

      6.5.1開路電壓與禁帶寬度的關係

      6.5.2短路電流與禁帶寬度的關係

      6.5.3能否製成轉換效率為100% 的太陽能電池

      6.5.4太陽能電池按種類所占的份額及元件轉換效率的比較

      6.6 「矽是上帝賜給人的寶物」

      6.6.1矽石經由電弧爐還原成金屬矽

      6.6.2改良西門子法生產高純度多晶矽

      6.6.3太陽能電池元件是如何製造出來的-晶矽太陽能電池的生產流程

      6.6.4矽片表面的加工

      6.7 太陽能電池的種類和轉效率

      6.7.1太陽能電池按材料體系的分類

      6.7.2太陽能電池元件的種類和基本結構

      6.7.3太陽能電池轉換效率的現狀

      6.7.4太陽能電池轉換效率的現狀

      6.8 晶矽太陽能電池

      6.8.1單晶矽和多晶矽太陽能電池

      6.8.2太陽能電池片(cell)製造

      6.8.3晶矽太陽能電池的優點和缺點

      6.8.4市售晶矽太陽能電池的產品鏈和價格構成

      6.9 非晶矽薄膜太陽能電池

      6.9.1薄膜矽太陽能電池

      6.9.2非晶矽及微晶矽的結構

      6.9.3電漿增強化學氣相沉積法(PECVD)生產薄膜矽

      6.9.4薄膜矽太陽能電池的製作方法和構造

      6.10 串結矽薄膜太陽能電池

      6.10.1串結型(tandem)薄膜太陽能電池

      6.10.2提高串結型薄膜太陽能電池轉換效率的措施

      6.10.3HIT 太陽能電池與傳統晶矽太陽能電池的比較

      6.10.4HIT 太陽能電池的結構及性能參數

      6.11 聚光型和多串結型太陽能電池

      6.11.1球狀矽太陽能電池

      6.11.2聚光型太陽能電池

      6.11.3多接面型太陽能電池

      6.11.4太空用太陽能電池

      6.12 正在開發的第三代和第四代太陽能電池

      6.12.1第三代太陽能電池-有機太陽能電池的開發現狀

      6.12.2染料敏化(色素增感)太陽能電池的工作原理

      6.12.3有機半導體薄膜太陽能電池的工作原理

      6.12.4第四代太陽能電池-量子點太陽能電池的工作原理

      6.13 有機半導體薄膜太陽能電池

      6.13.1採用漿料塗佈技術製作有機薄膜太陽能電池

      6.13.2有機半導體薄膜太陽能電池的元件結構和預計的轉換效率

      6.13.3高轉換效率的超階層奈米結構和相應材料

      6.13.4有機半導體薄膜太陽能電池的開發目標和應用前景

      6.14 可攜式裝置用太陽能電池

      6.14.1不需要更換電池的電子計算機和電子手錶

      6.14.2安裝在居家屋頂上的太陽能電池

      6.14.3在窗戶上也可使用的透明太陽能電池

      6.14.4既輕又薄,特別是能摺疊彎曲的軟性太陽能電池

      6.15 深山、離島用太陽能電池

      6.15.1設置於農田、牧場及自來水廠之上的太陽能電池

      6.15.2燈塔用及深山中安裝的太陽能電池

      6.15.3發展中國家用及安裝在沙漠中的太陽能電池

      6.15.4綠色環保型太陽能汽車

      6.16 光伏發電的產業化現狀和發展前景

      6.16.1世界光伏發電的新增安裝量和累積安裝量

      6.16.2住宅用光伏發電系統的價格和價格組成

      6.16.3促進太陽能光伏發電的各國優惠政策

      6.16.4世界太陽能電池企業的大浪淘沙

      6.17 光伏發電將改變人們的生活

      6.17.1沙漠將成為世界能源供應基地

      6.17.224 小時都能發電的太陽能電池

      6.17.3分散型能源有哪些好處

      6.17.4改變人們生活的太陽能電池

      6.18 太陽能電池的品質保證

      6.18.1太陽能電池的壽命有多長

      6.18.2真能做到無故障嗎?

      6.18.3不需要掃描清潔嗎?

      6.18.4能承受颱風暴雨、冰雹雷電、嚴冬酷暑

      6.19 光伏發電仍有潛力可挖

      6.19.1非朝向太陽也能正常發光

      6.19.2對於獨立式供電系統來說,貯電裝置必不可少

      6.19.3太陽能電池的循環利用

      6.19.4太陽能光伏發電與國際合作

      思考題及練習題

      參考文獻

      7 核能利用和核材料

      7.1 核爆炸和核反應器的原理

      7.1.1天然的核反應器

      7.1.2核爆炸原理

      7.1.3核反應器原理

      7.1.4核能利用現狀

      7.2 鈾濃縮

      7.2.1濃縮度與臨界量

      7.2.2鈾濃縮法(1)-氣體擴散法

      7.2.3鈾濃縮法(2)-離心分離法

      7.2.4鈾濃縮法(3)-原子雷射法

      7.2.5鈾濃縮法(4)-分子雷射法

      7.3 核反應器的種類及其結構

      7.3.1核反應器的種類

      7.3.2壓水堆

      7.3.3沸水堆

      7.3.4輕水堆的安全性

      7.4 熱中子堆中鈽(Pu)的使用

      7.4.1鈽熱(Plu Thermal)堆的原理

      7.4.2MOX 核材料

      7.4.3兩種核燃料的使用對比

      7.4.4採用MOX 核材料的好處

      7.5 快速增殖堆

      7.5.1熱中子堆和快中子堆

      7.5.2高速增殖堆與輕水堆的比較

      7.5.3利用高速增殖堆實現鈽燃料的增殖

      7.5.4高速增殖堆(FBR)的結構

      7.6 核燃料循環

      7.6.1核燃料的循環路徑

      7.6.2核燃料棒的構造

      7.6.3核燃料棒的後處理工程

      7.6.4核燃料棒的安全隱患

      7.7 輻射能和輻射線

      7.7.1輻射能和輻射線的定義

      7.7.2放射性核素

      7.7.3輻射線對人的危害

      7.8 「3.11」東日本大地震福島核電廠事故分析

      7.8.1強震緊急停堆後所有水冷系統失靈

      7.8.2核餘熱及衰變產生的熱量,足以使燃料元件熔化

      7.8.3高溫熔體穿透壓力殼

      7.8.4高放射性核燃料透過壓力殼洩漏到地面、海水乃至空氣中

      7.9 典型核電廠事故分析

      7.9.1國際核事故分級

      7.9.2美國三哩島核事故

      7.9.3前蘇聯車諾比(Chernobyl)核事故

      7.10 核融合和融合能的應用

      7.10.1自然的太陽和人造太陽

      7.10.2雷射慣性約束核融合

      7.10.3磁慣性約束核融合

      7.10.4核融合反應器的結構和融合能應用前景

      思考題及練習題

      參考文獻

      8 能量、信號轉換及感測器材料

      8.1 能量、信號轉換與感測器

      8.1.1能量轉換現象及應用舉例

      8.1.2感測器的定義

      8.1.3感測器的分類

      8.1.4感測器的組成及重要性

      8.2 代表性感測器

      8.2.1代表性感測器一覽

      8.2.2檢出媒體和採用的元件及單元

      8.2.3對感測器要求的各事項

      8.2.4控制用感測器概要

      8.3 光感測器概述

      8.3.1電磁波的波長範圍及可能在感測器中的應用

      8.3.2可用於光感測器的光電效應

      8.3.3光感測器的分類

      8.3.4紅外線的波長範圍及效能

      8.4 磁感測器及材料

      8.4.1磁場的量級及相應的感測器

      8.4.2磁感測器的種類

      8.4.3霍爾效應感測器

      8.4.4MR 元件及磁致電阻感測器

      8.5 振動感測器

      8.5.1音響振動頻率及其特徵

      8.5.2超音波的應用領域及其製品

      8.5.3壓電效應和逆壓電效應

      8.5.4空中超音波感測器的構造

      8.6 壓力感測器及材料

      8.6.1壓力感測器的種類

      8.6.2壓力檢出裝置及檢出範圍

      8.6.3半導體壓力感測器的主要用途

      8.6.4擴散型半導體壓力感測器的原理構造

      8.7 溫度感測器及材料

      8.7.1溫度感測器的種類

      8.7.2各種溫度感測器的測溫範圍

      8.7.3熱敏電阻的種類及其特種

      8.7.4熱釋電材料及其應用

      8.8 光感測器應用實例(1)

      8.8.1遙控器中使用的紅外線感測器

      8.8.2條碼讀數器

      8.8.3CCD 圖像感測器

      8.8.4旋轉編碼器

      8.9 光感測器應用實例(2)

      8.9.1紅外線照相機

      8.9.2利用光阻斷器的感測器

      8.9.3物體感測器的基本原理

      8.9.4雷射印表機工作原理

      8.10 智慧感測器和舒適材料學

      8.10.1生物感測器的原理

      8.10.2智慧材料

      8.10.3智慧感測器

      8.10.4舒適材料學的基本構成

      思考題及練習題

      參考文獻

      9 電磁相容-電磁遮罩及RFID 用材料

      9.1 電磁波及其傳播方式

      9.1.1電磁波按頻率的劃分及電磁波的應用

      9.1.2電磁波的傳播方式

      9.1.3衛星通信和衛星全球定位系統的工作頻率為什麼要超過1GHz ?

      9.2 電磁波及電磁波吸收體

      9.2.1常用電磁波的頻率、用途及特徵

      9.2.2電磁波吸收體

      9.2.3電磁波吸收體的應用領域

      9.3 電磁干擾(EMI)和電磁相容性(EMC)

      9.3.1EMC、EMI 和EMS限時活動優惠

      9.3.2EMC 的國際標準和國際機構

      9.3.3電磁屏蔽的分類及電磁屏蔽的效果

      9.3.4電磁波吸收材料的分類

      9.4 電磁屏蔽及電磁屏蔽材料

      9.4.1電磁屏蔽的分類

      9.4.2屏蔽效果基準

      9.4.3抗雜訊元件

      9.4.4電波暗室

      9.5 吸波材料和電波暗室

      9.5.1吸波材料的應用

      9.5.2吸波材料按其損耗機制分類

      9.5.3吸波材料按其形狀的分類

      9.5.4EMC 用電波暗室

      9.6 隱形材料

      9.6.1何謂隱形材料

      9.6.2隱形材料的作用

      9.6.3各類隱形材料

      9.6.4奈米複合隱形材料的最新發展

      9.7 電磁輻射的應用(1)-可見光

      9.7.1由激發引起自然發射的原理

      9.7.2自然光(太陽光)的色散

      9.7.3發光光源的波長及其色溫度

      9.7.4螢光燈的發光過程

      9.8 電磁輻射的應用(2)-紫外線、紅外線、微波

      9.8.1紫外線的分類及特徵

      9.8.2影像增強管的工作原理

      9.8.3隱蔽相機和微膠囊相機

      9.8.4微波用於安檢

      9.9 電磁輻射的應用(3)-RFID 的工作原理

      9.9.1IC 卡的構造體系和RFID 技術的發展歷程

      9.9.2接點型IC 卡和非接觸IC 卡

      9.9.3非接觸IC 卡的種類及通信距離

      9.9.4非接觸IC 卡的構成

      9.10 電磁輻射的應用(4)-RFID 的製作及應用

      9.10.1非接觸IC 卡的電路構成方塊圖

      9.10.2RFID 天線線圈的製作方法

      9.10.3RFID 標籤的利用領域

      9.10.4採用ETC 的不停車通過收費系統

      9.11 雷射的發明

      9.11.1紅寶石雷射振盪器

      9.11.2「雷射」的名稱來源

      9.11.3自然光和雷射

      9.11.4雷射發明的七大功臣

      9.12 雷射用於通信

      9.12.1半導體雷射

      9.12.2光纖通信

      9.12.3雷射和太陽光的差異

      9.12.4雷射光束是雙刃劍

      9.13 雷射用於美容和手術

      9.13.1各種雷射的波長範圍及其相應名稱

      9.13.2雷射已廣泛應用於各種不同領域

      9.13.3雷射美容

      9.13.4雷射手術

      9.14 雷射用於加工和測量

      9.14.1雷射鑽石打孔

      9.14.2雷射測量地球-月球之間的距離

      9.14.3利用雷射消除危險的雷電

      9.14.4雷射緩解地球暖化

      9.15 雷射武器

      9.15.1雷射雷達及用雷射破譯雷達

      9.15.2雷射誘導炸彈

      9.15.3雷射武器

      9.15.4隱形飛機

      9.16 雷射的發展前景

      9.16.1雷射核融合

      9.16.2雷射太空送電

      9.16.3雷射三維成像

      9.16.4夢寐以求的X 射線雷射

      思考題及練習題

      參考文獻

      10 環境友好和環境材料

      10.1 地球環境的惡化和環境友好型社會的創建

      10.1.1人口、資源、環境

      10.1.2地球溫暖化

      10.1.3陸地荒漠化

      10.1.4世界各國對策

      10.2 資源匱乏、能源枯竭與環境被害

      10.2.1能源、環境、經濟三大問題(三連環)

      10.2.2世界一次能源的超長期預測

      達人推薦10.2.3溫室效應氣體排放和減排措施

      10.2.4酸雨的形成機制

      10.3 環境污染事件和世界環境保護法規的進展

      10.3.1環境被害的惡性循環

      10.3.2鉛從帶焊料的印刷電路板到攝入人體的路徑

      10.3.3歷史上重大的化學物質環境污染事故

      10.3.4世界環境保護法規的進展

      10.4 WEEE 指令的制定及其內涵

      10.4.1WEEE 指令的附件IA 和IB(ANNEX IA and ANNEX IB)的回收處理

      10.4.2附件Ⅱ(ANNEX II)中的分離處理

      10.4.3WEEE 指令中按不同種類的再生率和再生循環利用率

      10.4.4歐洲關於循環再利用用語的定義

      10.5 RoHS 指令對有害物質的禁用

      10.5.1RoHS 規則適用範圍判斷樹

      10.5.2環境影響物質一覽表

      10.5.3特定有害物質的危害

      10.5.4禁止使用的特定溴系阻燃劑

      10.6 可再生能源(1)

      10.6.1自然能源和新能源

      10.6.2水力發電

      10.6.3太陽能光伏發電

      10.6.4太陽熱能利用

      10.7 可再生能源(2)

      10.7.1風能利用

      10.7.2海洋能利用

      10.7.3地熱利用

      10.7.4生物能利用

      思考題及練習題

      參考文獻

    語言:中文繁體
    規格:平裝
    分級:普級
    開數:16開19*26cm
    頁數:784

    出版地:台灣

商品訊息特點

  • 作者:田民波

    追蹤

  • 出版社:五南

    出版社追蹤

    功能說明

  • 出版日:2015/8/10
  • ISBN:9789571181493
  • 語言:中文繁體
  • 適讀年齡:全齡適讀

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旺報【記者林瑞益╱泉州報導】

大陸國家旅遊局等單位力推第二屆海上絲綢之路福州國際旅遊節,日前安排中外媒體走訪泉州開元寺、老君岩與蟳埔民族文化村,讓許多外媒記者體驗中國文化。

泉州開元寺位於泉州鬧區,內部的中軸線上有紫雲屏、山門(天王殿)、拜亭、大雄寶殿、甘露戒壇、藏經閣,東部有鎮國塔、檀越祠,西部有仁壽塔、功德堂、尊聖院、桑蓮古蹟等。中外媒體記者透過導遊解說,了解大致概況。

老君岩方面,是大陸現存最大的宋代道教石像,也是清源山的標誌性景點,於1988年列為中國第三批全國重點文物保護單位。許多外媒記者對此處感到很新鮮,仔細聆聽導遊解說,並拍照留念。

據傳,泉州民間有俗語「摸著老君鼻,活到一百二」,於是,常有民眾攀爬到石像上,觸摸老君鼻。

主辦方還安排中外媒體團走訪蟳埔民族文化村,戴著花冠頭飾的女子組成鑼鼓樂隊,歡迎參訪團入內。除精彩的樂隊表演外,另安排婦女搓湯圓、挑蚵仔,展現當地文化。當地還準備了甜湯圓,供參訪團品嘗。

蟳埔女與惠安女、湄洲女並稱福建「三大漁女」,是閩南沿海一大民俗奇觀。目前,蟳埔女生活習俗已經列入國家級非物質文化遺產名錄。作為蟳埔女生活習俗代表之一的蟳埔女服飾不僅是當地的寶貴文化財富,同時也是研究蟳埔文化起源和民俗風情的重要依據。

小 靈 通泉州開元寺

開元寺位於大陸福建省泉州市鯉城區西街,始建於唐代的漢傳佛教寺院,1982年被列為第二批大陸重點文物保護單位,及漢族地區佛教重點寺院。開元寺以雙塔聞名,東為鎮國塔,西為仁壽塔,高40多公尺,是中國最高的一對石塔。(林瑞益)

新頭殼newtalk

復興航空22日無預警停飛,外界傳出爆發財務危機,金管會主委李瑞倉表示,銀行團對復興航空聯貸約110億元,銀行對這種事情有一定的因應機制,而且行政院已經交代要好好處理,將會密切注意各方面的事項。

銀行團對復興航空的債權超過100億元,復興航空22日無預警停飛,主要債權銀行震驚。金管會主委李瑞倉出席「支持綠能產業,發展綠色金融研討會」後表示,銀行團對復興航空聯貸約110億元,銀行對這種事情有一定的因應機制,如何確保債權,銀行有因應的做法。

李瑞倉進一步指出,行政院長林全關切復興航空停飛一事,「已經交代我要好好處理」,要留意各方面的事項。

外傳,復興航空海外可轉換公司債ECB下週到期,是壓垮復興航空的最後一根稻草,對此,李瑞倉回應,這是個案貸款的問題,還須進一步了解狀況,但是,若復興航空面臨資金缺口,會依照銀行運作機制來處理。

媒體追問,金管會是希望銀行停止放款,還是繼續支持復興航空?李瑞倉表示,這無法由金管會評論,必須由各銀行依照交易行為做處理,且金管會的角色就是一方面監督,一方面協助。

對於台股屢屢爆出內線交易,如何防範與杜絕,李瑞倉回應,若有內線交易的情況,會從重處罰,不過,一個要做壞事的人,一定會有周全的陰謀。這很難可以事先發現,但如何讓機制可以顯現這個現象,金管會將持續思考這個問題。

下面附上一則新聞讓大家了解時事

新北市三重區三和路二段某間檳榔攤昨(24)日晚間8時遇搶案,一名30歲吳姓男子持水果刀架住16歲男店員脖子,搜刮近萬元現金後逃逸,店員抵抗時腹部不慎被刀子劃傷。警方循線追緝吳男,於今(25)日凌晨2時在吳男投宿的旅館將他上銬逮捕,並查扣剩餘贓款,訊後依強盜罪嫌將他送辦。

警方調查,30歲吳姓男子平常沒有工作,,因缺錢花用才會犯案,一個月前多次到三重區三和路二段這間檳榔攤勘察地形,昨(24)日晚間8時許到檳榔攤向店員表示要買4瓶礦泉水,趁店員轉身拿水時,竟拿出預藏水果刀架住店員脖子,強奪店內近萬元財物後逃逸,店員反抗時,腹部遭水果刀劃傷。

警方獲報立即成立專案小組,全力追查搶匪下落,於今天凌晨2時許,在三重區正義北路某間旅館逮捕熟睡的吳男,並查扣剩餘的4900元贓款,訊後依《強盜罪》將他移送偵辦。

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